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ISSN: 2333-9721
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GaAs／AlGaAs多量子阱结构的电子干涉与红外吸收

Keywords: 多量子阱结构，电子干涉，红外吸收

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Abstract:

在室温下测量了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱结构的红外吸收，观察到在７０６、７７０、１０４６、１２８２和１６５３ｃｍ－１处的几个吸收峰．认为这些吸收峰与处于势垒以上电子干涉有关，理论计算的吸收峰位置与实验结果很一致．

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