THE STUDY OF OPTIMUM PROCESS CONDITION OF Hg SENSITIZATION PHOTO-CHEMICAL VAPOR DEPOSITION SiO_2FILMS
Hg敏化光CVD SiO_2薄膜最佳工艺条件的研究

Keywords: low-temperature,Hg sensitization,photo-chemical vapor deposition,SiO_2 films
低温,Hg敏化,光—CVD,SiO_2薄膜

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Abstract:

本文叙述了 Hg 敏化光化学气相淀积薄膜的方法,研究了制备 SiO_2薄膜的最佳工艺条件。结果表明,当衬底温度约 200℃,而淀积时间、反应室总压力和气体流量分别在30—50min、30—50Pa 和300—500 Sccm 范围内选取时,可得到最佳的薄膜。

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