An Analytical Model of Electron Mobility for Strained-Si Channel nMOSFETs
应变硅电子迁移率解析模型

Keywords: Strained-Si,electron mobility,analytical model,nMOSFET,uniaxial stress/strain
应变硅,电子迁移率,解析模型,n型场效应管,单轴应力/应变,Strained-Si,electron,mobility,analytical,model,nMOSFET,uniaxial,stress/strain

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Abstract:

提出了一个应变硅沟道电子迁移率解析模型.模型以应变张量为对象研究应变硅沟道电子迁移率,因此与工艺相独立;适用于施加双轴应力及<100>/<110>方向单轴应力,沟道方向为<100>/<110>的器件;易于嵌入常用仿真工具中.

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