Inductively Coupled Plasma via Hole Etching of AlGaN/GaN HEMTs on SiC Substrate
SiC衬底AlGaN/GaN HEMT的ICP通孔刻蚀

利用ICP对研制的SiC衬底上AlGaN/GaN HEMT刻蚀获得了深度为50μm的接地通孔. 器件通孔制作前首先用机械研磨的方法将衬底减薄至50μm，在背面蒸发Ti/Ni并电镀Ni至3μm作为刻蚀阻挡层；之后利用SF6/O2混合气体的电感耦合等离子体对SiC衬底进行了刻蚀；最后将Cl2和BCl3混合气体的ICP刻蚀技术运用于AlGaN/GaN外延材料的刻蚀，完成了深度为50μm的AlGaN/GaN HEMT通孔制作，通孔侧壁具有一定的斜率，适合良好的金属覆盖以形成器件正面和背面的连接. 这一技术非常适合AlGaN/GaN HEMT及其单片集成电路的研制.