A 2GHz Power Amplifier Realized in IBM SiGe BiCMOS Technology 5PAe
基于IBM SiGe BiCMOS工艺5PAe的2GHz功率放大器设计

采用IBM公司刚刚推出试用的0.35μm SiGe BiCMOS开发性工艺5PAe设计并实现了一个2GHz功率放大器. 该放大器采用两级单端结构，除集电极扼流电感外，其余元件全部片上实现，具有集成度高、结构简单的特点. 通过在管子基极和匹配电感中串联电阻，实现了全频段稳定. 键合测试表明，在所有电源电压下电路均能稳定工作. 在VC=3.5V, VB=6V, f=2.0GHz时，小信号增益为20.8dB，输入输出反射系数分别小于-17和-16dB, Pout-2dB约为24dBm. 而在输出功率为25.1dBm时，功率附加效率达到21.5%，二次和三次谐波分别小于-45和-52dBc，因而具有较好的线性度.