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OALib Journal期刊
ISSN: 2333-9721
费用：99美元
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Growth and Characteristics of ZnTe Single Crystal for THz Technology
应用于THz辐射的ZnTe单晶生长及测试
Wang Reng, Fang Weizheng, Zhao Pei, Zhang Lei, Ge Jin, Yuan Shixin, Zhang Huier, Hu Shuhong, Dai Ning, Chen Xiaoshu, Wu Xiaojun, He Shan, Wang Gang,
王仍, 方维政, 赵培, 张雷, 葛进, 袁诗鑫, 张惠尔, 胡淑红, 戴宁, 陈晓姝, 吴晓君, 何 山, 王 钢
Keywords: Te-solution method,ZnTe crystal,X-ray diffraction,THz
Te溶剂方法,ZnTe单晶,XRD,THz
Abstract:
利用Te溶剂方法生长出ZnTe单晶.经X射线衍射测试,发现晶锭中存在沿(110)晶向生长的大晶粒,可以切出10mm×10mm的单晶片.傅里叶红外变换光谱仪测得ZnTe晶体在2.5～20μm波段的红外透过率约为61%.通过测可见-红外波段的透射光谱,得出禁带宽度为2.24eV.利用飞秒激光作用在一块ZnTe单晶同时产生-探测THz脉冲,观察到0.18ps的THz辐射场分布,相应的频谱分布为5THz. Full-Text
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