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半导体学报 2008
Back-Gate Effect of SOI LDMOSFETs
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Abstract:
在绝缘体上硅衬底上，制备了栅长为0.5μm的低势垒体接触结构和源体紧密接触结构的横向双扩散功率晶体管. 详细研究了器件的背栅特性. 背栅偏置电压对横向双扩散功率晶体管的前栅亚阈值特性、导通电阻和关态击穿特性均有明显影响. 相比于源体紧密接触结构，低势垒体接触结构横向双扩散功率晶体管的背栅效应更小，这是因为低势垒体接触结构更好地抑制了浮体效应和背栅沟道开启. 还介绍了一种绝缘体上硅横向双扩散功率晶体管的电路模型，其包含前栅沟道，背栅沟道和背栅偏置决定的串联电阻.
