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半导体学报 2008
Mechanic-Electric Coupling Characteristics of a Resonant Tunneling Diode
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Abstract:
报道了微结构中共振隧穿二极管（RTD）的压阻效应. 分析并加工了四梁结构，其中RTD置于应力敏感区. 沿［110］晶向和［110］晶向的应力导致RTD电流-电压曲线的改变，即介观压阻变化，尤其是在微分负阻（NDR）区. 采用不同测试方法，研究了RTD的力电耦合特性，并获得了较相近的压阻系数为1E-9Pa-1.
