A new high voltage SOI LDMOS with triple RESURF structure
一种新型高压Triple RESURF SOI LDMOS

提出了一种新型Triple RESURF SOI LDMOS结构，该结构有一个Ｐ型埋层。首先，耗尽层能够在Ｐ型埋层的上下同时扩展与Triple RESURF机理相同，使得漂移区浓度提高，导通电阻降低。其次，当漂移区浓度较高时，Ｐ型埋层起到了降低体内电场的作用，并能够提高漏端纵向电场使得其电场分布更加均匀从而耐压增加。Triple RESURF结构在SOI LDMOS中首次提出。在６微米厚的SOI层以及２微米厚的埋氧层中获得了耐压300V的Triple RESURF SOI LDMOS，其导通电阻从Double RESURF SOI LDMOS的17.2mΩ.cm2降低到13.8mΩ.cm2。当外延层厚度增加时, Triple RESURF结构的效果更加明显,在相同耐压下，相对于Double RESURF,该结构能够在400V和550V的SOI LDMOS中分别降低29%和38%的导通电阻。