全部 标题 作者 关键词 摘要
Keywords: 静电放电,双向SCR,骤回
Full-Text Cite this paper Add to My Lib
提出了一类新型片上SCR静电放电防护器件,此类器件用于保护芯片双向抗击静电应力.比较和分析了四种双向SCR器件的触发电压.其中采用嵌入pMOS管或nMOS管的双向SCR器件结构具有可调触发电压,低漏电流(~pA)和开启速度快的骤回I-V特性,并且没有闩锁问题.该器件的抗ESD能力可达~94V/μm.此类新型ESD防护器件具有面积小、寄生效应小的特点.
Full-Text
Contact Us
service@oalib.com
QQ:3279437679
WhatsApp +8615387084133