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OALib Journal期刊
ISSN: 2333-9721
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0.18μm混合信号RFCMOS工艺中新型低触发电压双向SCR 静电防护器件的设计

Keywords: 静电放电,双向SCR,骤回

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Abstract:

提出了一类新型片上SCR静电放电防护器件,此类器件用于保护芯片双向抗击静电应力.比较和分析了四种双向SCR器件的触发电压.其中采用嵌入pMOS管或nMOS管的双向SCR器件结构具有可调触发电压,低漏电流(~pA)和开启速度快的骤回I-V特性,并且没有闩锁问题.该器件的抗ESD能力可达~94V/μm.此类新型ESD防护器件具有面积小、寄生效应小的特点.

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