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半导体学报 2011
A fast transient response low dropout regulator with current control methodology
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Abstract:
LDO电路的瞬态响应能力是评价LDO性能的一个重要指标。本文借鉴电荷泵式锁相环的环路控制方法,提出了一种基于电流控制环路的LDO结构,将典型LDO电路中的电压比较改为电流比较,利用跨导放大器和环路滤波器产生功率管的控制栅压,使得环路具有优化的阻尼因子ζ和固有频率ωn,有效提高了LDO环路的瞬态响应能力,并且输出电压可以低至1V以下,且不受基准电压的限制。基于0.13μm CMOS工艺的实现结果表明,在使用1μF去耦电容,LDO输出1.0V的情况下,负载100μA→100mA瞬态变化时,输出超调5.11mV,稳定输出的压降4.25mV,稳定时间8.2μs,而负载100mA→100μA时,输出超调6.21mV,稳定输出的压降4.25mV,稳定时间23.3μs。结果表明,该电路各项性能指标均有明显的提高,FOM指数达到0.0097。