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半导体学报 2008
Post-Gate Process Annealing Effects of Recessed AlGaN/GaN HEMTs
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Abstract:
研究了如何减小等离子体干法刻蚀导致的大肖特基漏电. 用X射线光电能谱（XPS）分析刻蚀前后的AlGaN表面，发现刻蚀后AlGaN表面出现了N空位，导致肖特基栅电流偏离热电子散射模型，N空位做为一种缺陷使得肖特基结的隧穿几率增大，反向漏电增大，肖特基势垒降低. 介绍了一种AlGaN/GaN HEMTs器件退火处理方法，优化退火条件为400℃, N2氛围退火10min. 退火后，栅金属中的Ni与Ga原子反应从而减少N空穴造成的缺陷，器件肖特基反向漏电减小三个量级，正向开启电压升高，理想因子从3.07降低到了2.08.
