A total dose radiation model for deep submicron PDSOI NMOS
一种深亚微米PDSOI NMOS总剂量辐照模型

在以往的大部分总剂量辐照模型中，人们只研究体偏为0V时的阈值电压漂移以及迁移率退化。然而，测试数据表明总剂量辐照效应与体偏紧密相关，为了模拟体偏对总剂量效应的影响，本文提出了一个宏模型，宏模型包括阈值电压、迁移率、以及漏电在不同体偏下随总剂量的变化。基于中国科学院微电子研究所开发的0.35μm PDSOI工艺的NMOS测试数据很好的验证了此模型，尤其是漏电部分。