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半导体学报 2008
Characterization of Phosphorus Diffused ZnO Bulk Single Crystals
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Abstract:
分别在550和800℃对CVT方法生长的非掺ZnO单晶进行闭管磷扩散. 通过Hall测试、X射线光电子谱（XPS) 、光致发光（PL）以及喇曼散射对扩散后的样品进行测试分析. 发现扩散掺杂后的ZnO单晶仍显示n型导电性，自由电子浓度比非掺样品增高，在800℃扩散后尤为明显. PL测试结果表明，掺杂样品在420~550nm范围的可见光发射与缺陷有关. XPS测试表明:在550℃掺杂，P原子更易代替Zn位；在800℃扩散时，P未占据Zn位,而似乎占据了O位. 最终在磷扩散后的ZnO单晶中形成了高浓度的浅施主缺陷，造成了自由电子的显著增加.
