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半导体学报 2008
A Double High-Voltage p-LDMOS and Its Compatible Process for PDP Scan-Driver ICs
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Abstract:
报道了基于硅外延BCD工艺的高栅源、高漏源电压的功率pMOS的设计.采用1μm厚的场氧化层作为栅氧介质及RESURF原理优化的漏极漂移区，器件面积为80μm×80μm，工艺上简化为18次光刻，兼容标准CMOS、双极管和高压VDMOS. 测试管耐压超过200V，集成于64路170V PDP扫描驱动芯片，通过了上机测试.
