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ISSN: 2333-9721
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A High Purity Integer-N Frequency Synthesizer in 0.35μm SiGe BiCMOS
基于0.35μm SiGe BiCMOS的高纯度频率综合器

Keywords: SiGe BiCMOS,phase-locked loop,high purity,loop bandwidth
SiGeBi,CMOS,锁相环,高纯度,环路带宽,SiGe,BiCMOS,phase-locked,loop,high,purity,loop,bandwidth

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Abstract:

介绍了一个基于0.35μm SiGe BiCMOS的整数N频率综合器.通过采用不同工艺来实现不同模块,实现了一个具有良好的杂散和相噪性能的高纯度频率综合器.除环路滤波器外所有的部件均采用差分电路结构.为了进一步减小相位噪声,压控振荡器中采用绑定线来形成谐振.该频率综合器可在2.39～2.72 GHz的频率范围内输出功率OdBm.在100kHz频偏处测得的相位噪声为-95dBc/Hz,在1MHz频偏处测得的相位噪声为-116dBc/Hz.参考频率处杂散小于-72dBc.在3V 的工作电压下,包括输出驱动级在内的整个芯片消耗60mA电流.

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