Surface reconstructions and reflection high-energy electron diffraction intensity oscillations during homoepitaxial growth on nonmisoriented GaAs(111)B by MBE
GaAs(111)B上MBE同法质外延生长中的表面再构和RHEED分析

Keywords: GaAs(111)B,RHEED,surface reconstruction,epilayer
GaAs(111)B,反射式高能电子衍射,表面再构,外延层

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Abstract:

采用分子束外延(MBE)技术，在正晶向GaAs(111)B衬底上进行同质外延生长时，利用反射式高能电子衍射(RHEED)绘制出静态和动态生长条件下的表面相图，研究了生长参数对表面再构的影响，并通过衍射图案强度分析确定了适合镜像外延生长的(√19×√19)再构区域。在生长过程中，通过RHEED强度振荡和表面形貌的分析优化了生长参数，成功地生长出无金字塔结构的镜像外延薄膜。

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