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半导体学报 2008
An 8~20GHz Monolithic SPDT GaAs pin Diode Switch
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Abstract:
基于中国科学院微电子研究所的GaAs pin二极管工艺，设计、制作并测试了一种单片单刀双掷开关. 在8~20GHz频段内，开关正向导通时的插入损耗最小值为1.5dB，输入和输出端的回波损耗大于10dB；开关关断状态的隔离度最大值为32dB. 开关的支路采用串联-并联-并联的结构，其中的GaAs pin二极管基区厚为2.5μm. 在1.3V的偏置电压下，正向导通的串联二极管工作电流为7mA.
