Complementary charge islands structure for a high voltage device of partial-SOI
具有互补电荷岛结构的PSOI高压器件

本文提出一种新的具有互补n+-电荷岛结构的PSOI高压器件（CNCI PSOI）。该结构在PSOI器件介质层上下界面分别注入形成一系列等距的高浓度n+区。器件外加高压时，在上下介质层的n+-区域之间形成互补的空穴和电子岛,因此能有效的增强界面电场(EI) 和提高耐压(BV)，通过源下的硅窗口还能减小器件的自热效应。本文分析了CNCI PSOI 的垂直界面电场的模型，分析结果和二维仿真结果吻合。CNCI PSOI LDMOS 在较低的自热效应的情况下，BV 和EI从常规PSOI的 216V 和81.4V/μm 提高到591V 和512 V/μm。文中详细研究了结构参数对所提出的器件性能的影响。