Absorption of photons in the thin film AlGaInP light emitting diode
薄膜AlGaInP发光二极管中光子吸收的研究

分析了薄膜发光二极管中光子的路径，对比了AlGaInP薄膜发光二极管的反光镜有无AlGaInP层的反射率，分析了AlGaInP层的吸收并计算了光提取效率。制作了不同GaP厚度的TF AlGaInP LED。在20mA的驱动电流下，0.6μm GaP的LED比8μm GaP 的LED光输出功率高33％。提出了在0.6μm GaP的LED中腐蚀去除非欧姆接触点处的重掺GaP。在n型电极和p型欧姆接触点间的电流扩展的设计和优化需要更进一步的研究。