Floating Body Effect in Partially Depleted SOI nMOSFET with Asymmetric Structure and Ge-Implantation
采用非对称结构和注Ge的部分耗尽SOI nMOSFET的浮体效应(英文)

Keywords: SOI nMOSFET,floating body effect,Ge,implantation
SOInMOSFET,浮体效应,注Ge

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Abstract:

研究了一种采用非对称结构和注 Ge的部分耗尽 0 .8μm SOI n MOSFET的浮体效应 ,实验结果表明这种结构能够提高漏端击穿电压约 1V,减轻反常亚阈值斜率和 kink现象 .浮体效应的减少是由于源区的浅结和注 Ge引入的晶体缺陷减少了寄生的横向 npn晶体管的电流增益

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