Yield Analysis of GaAs DPDT Monolithic RF Switch for Wireless Communication
手机用砷化镓双刀双掷单片射频开关成品率分析

采用 Ga As75 mm 0 .7μm离子注入场效应晶体管 (MESFET)标准工艺技术研制出手机用 Ga As双刀双掷(DPDT)单片射频开关 (以下简称单片开关 ) .成品率分析表明 ,影响单片开关直流及射频参数成品率的主要因素包括 :材料几何参数、注入退火均匀性、栅光刻成品率、挖槽控制及圆片沾污等 .优化工艺条件可以使单片开关直流成品率稳定在 90 %左右 ,微波成品率稳定在 80 %左右 ,接近国际上砷化镓标准加工线的水平