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ISSN: 2333-9721
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表面电场导致InGaAs/GaAs量子阱子带跃迁选择定则的改变

Keywords: 量子阱,砷化镓,半导体物理

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Abstract:

本文报道用MOCVD方法制作高质量的InGaAs／GaAs应变量子阱材料．单量子阱样品在室温光伏谱中出现清晰的11H、12H、21H和22H激子吸收峰．首次用室温光伏方法研究表面自建电场导致InGaAs／GaAs量子阱中子带间跃迁选择定则的改变．

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