Degradation Induced by Channel Hot-Carriers Effect in SOI NMOSFET''''s
SOINMOSFET沟道热载流子的应力损伤

研究了沟道热载流子应力所引起的SOI NMOSFET的损伤，发现在中栅压应力（Vg≈Vd/2）和高栅压应力（Vg≈Vd）条件下，器件损伤表面出单一的幂律规律；而在低栅压应力（Vgs≈Vth)下，多特性的退化规律便会表现出来。同时，应力漏电压的升高、应力时间的延续都会导致退化特性的改变。这使预测SOI器件的寿命变得非常困难。