MOS结构的软X射线辐射损伤

本文报道了MOS结构受软X射线辐照的辐射损伤的研究结果.指出,软X射线辐照将引起了 SiO_2层中正电荷及SiO_2-Si界面界面态密度的增加,而且在SiO_2体内形成电子陷阱和中性陷阱.文中还报道了辐射损伤的退火结果.