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ISSN: 2333-9721
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0.1μm T-Shaped Gate PHEMT Device
0.1μmT型栅PHEMT器件

Keywords: Two Dimension Electron Gas(2DEG),Electron Beam Lithography(EBL),mixed lithography,PHEMT,T-shaped gate
二维电子气,电子束光刻,混合曝光,PHEMT,T型栅

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Abstract:

通过电子束和接触式曝光相结合的混合曝光方法 ,并利用复合胶结构 ,一次电子束曝光制作出具有 T型栅的 PHEMT器件 ,并对 0 .1μm栅长 PHEMT器件的整套工艺及器件性能进行了研究 .形成了一整套具有新特点的PHEMT器件制作工艺 ,获得了良好的器件性能 (ft=93.97GHz;gm=6 90 m S/mm ) .

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