GD类多晶硅薄膜的电导特性

文中提出,在GD法中用提高r.f射频功率的办法能淀积出含氢的类多晶硅薄膜.由于氢原子的作用,填充晶粒间界中大量的缺陷态,使晶间势垒降低从而使电导率升高了三个数量级.这种多晶硅薄膜对研制多晶硅器件是有利的.