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半导体学报 1987
Al-Mo-Ti-PtSi-Si金属化系统特性研究Abstract: 本文用AES法结合I-V、C-V等测量研究了Al-Mo-Ti-PtSi-Si金属化系统的特性,结果表明:该系统的钛层中有部分钛在溅射过程中被氧化;在热处理过程中,Ti及其氧化物作为阻挡层较Mo更稳定.Ti、Mo作为阻挡层经500℃以及500℃以下温度的退火时,PtSi-Si肖特基结的特性可保持稳定,退火温度到600℃时,Al开始在阻挡层比较薄弱的地方通过阻挡层到达Si界面,使阻挡层破裂并失效. 此外还用AES法分析了PtSi-Si结构的样品,结果表明:原Si片表面的天然氧化层最终分散在形成的硅化铂内,Si可能是形成大部分PtSi的扩散元.
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