一种用非晶硅作绝缘材料的MISS器件

本文对具有半绝缘性a-Si:H薄层的MISS器件进行了实验研究.实验发现它具有更高的光敏性.在a-Si型的MISS中也呈现出双态特性,并将其解释为n区的电荷存贮效应.