电子俘获对φb和热电子流的影响

本文从泊松方程出发,考虑了二氧化硅中电子俘获的影响,导出硅-二氧化硅界面的势垒高度.还得出了包含电子俘获作用的栅电流随时间变化的关系式.由此关系式及(?)表达式推得热电子衬底电流与栅电流之间的解析表达式,从而解释了在栅电流较大的情况下此两电流之间的非线性对数关系.