MoNb-GaAs肖脱基势垒二极管的界面分析

在GaAs外延层上用电子束蒸发Nb及直流等离子体溅射Mo和Au的办法,制备了GaAs-Nb-Mo-Au结构的肖脱基势垒二极管.用XPS结合氩离子刻蚀测量了它的成分深度分布及界面特性,得到:当溅射Mo层厚度大于1000 A时,Au和GaAs之间的互扩散可以被阻挡住.Mo向Nb中的扩散使单独的Nb层不复存在,二极管成为GaAs-(Nb,Mo、Ga、As)-Mo-(MoAu)-Au结构.在界面过渡区中,Mo以金属形式存在,而Nb则同GaAs表面的天然氧化层反应后生成为低价的氧化铌.MoNb-GaAs肖脱基势垒比Mo-GaAs结构热稳定性好的原因,可能是同Nb氧化物的高生成热相联系的.