强磁场下n型InSb杂质带及其电导的理论

利用前人关于超强磁场下原子谱的理论结果,构造了强磁场下n-InSb中电子运动的哈密顿量,用构形平均方法计算了杂质带的零级谱、零级态密度函数以及体系发生Anderson转变的条件.计算结果和实验基本符合.