硼注入<100>硅残余缺陷的沟道研究

本文用沟道背散射技术和透射电镜观察研究室温高剂量硼注入<100>硅的退火行为和残余缺陷.实验结果表明一步退火法不能完全消除注入引起的辐射损伤,在外延层中同时存在位错环和直接散射中心两种缺陷.用连续的剥层和测定沟道最低产额x_(min)的方法得到了直接散射中心的深度分布,按此分布用复次散射模型估算了直接散射中心对退道产额的贡献,从而分离开两种缺陷对退道的贡献.以B(?)gh公式为基础处理沟道谱的退道,实验得到的退道宽度λ值与Quere模型的理论预言基本相符.