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本文提出了一种用离子注入减慢SiO_2腐蚀速率的新工艺.用不同剂量的各种离子对SiO_2进行注入实验,结果表明,注入离子的剂量越高,SiO_2的腐蚀速率越慢,该工艺的关键是采用了干法腐蚀.这一结果与所报道的离子注入增强腐蚀的结果正好相反.该工艺具有工艺简单,操作方便,分辨率高等优点.
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