离子辐照对多孔硅性质的影响

本文首次报道离子注入对一系列多孔硅性质的影响．离子辐照引入多孔硅成孔中心，影响多孔硅的形成．随辐照剂量增加，ＰＬ谱峰波长红移，强度下降，半高宽变窄，使制备多孔硅发光图形成为可能．