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半导体学报 1982
4.2K注氮Ga_(1-x)Al_xAs(x=0.2-0.8)的光致发光研究Abstract: 本文通过光致发光手段研究了4.2K下Ga_(1-x)AlxAs中等电子杂质氮的发光行为.利用离子注入及适当退火在 Ga_(1-x)AlxAs中获得约 10~(18)/cm~3的氮浓度.实验观察到由于注氮在X导带极小值下面形成的等电子束缚态相关的氮发射带及其声子边带.在4.2K下观察到随退火温度上升及氮浓度增加形成的氮峰增长.测定了氮能级位置随铝组分x的变化关系.同时测量了不同组分原始样品的带边峰位置,初步确定了4.2K下带边能量随组分x变化的经验公式.利用两能谷近似计算了氮束缚能级的位置,理论与实验有较好的符合.对比GaAs_(1-x)Px:N的结果,对由于电负性差异和晶格畸变而引起的氮等电子杂质势随x的变化作了讨论.
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