硅(111)晶片外延时图形微畸变的研究

介绍了向{100}和向最近的{110}偏离2～4°的赝(111)晶片外延图形微畸变的研究结果.当参考面为(100)时,图形平行于参考边112]安排,若晶片向(110)或(001)偏离2～4°,则垂直于参考边的线条明显变宽,当晶片向(011)或(101)偏离2～4°,图形畸变最小.