用冷阴极电子束快速处理金属-硅薄膜生成硅化物

研究了用于大规模和超大规模集成电路布线和MOS晶体管栅极的难熔金属硅化物,WSi_x和TiSi_x的电子束快速、低温条件下生成的新方法.采用一种新型冷阴极辉光放电的低能大面积电子束装置.处理时间为几十秒.测量了硅化物的电导,薄膜成分结构以及表面的光散射特性.结果表明经过电子束处理的薄膜,形成了良好的硅化物;并且还出现了某些独特的(110)晶面择优生长的结构特性.由于处理时间短,温度低,这种快速处理方法有希望用于VLSI研究.