混晶半导体中深能级的展宽及其有关效应

本文以GaAs_xP_(1-x)为例,在假定As-P原子在v族点阵位上随机分布情况下,从基本统计理论出发,计算了找到k个As原子的几率F以及能级展宽的宽度与组分的依赖关系.在进一步假定能级展宽服从高斯分布的情况下,计算了混晶半导体中载流子通过深能级中心的热、光发射电容瞬态过程.理论计算和实验结果的很好一致,不但成功地解释了混晶中来自深中心载流子的非指数热发射和俘获电容瞬态过程的物理实质,而且通过对实验结果的拟合还能给出表征混晶半导体中深能级特征的二个重要参数:深能级的展宽宽度E_B和平均热激活能E_T.