用RDLTS方法研究P型硅中Yb的空穴发射率与电场的关系

用RDLTS方法测量了P型硅中Yb的空穴热发射率与电场的关系,结果表明当电场强度大于 3 ×10~4伏/厘米时发射率显著增大.此外.同样方法测量了硅中Au的深施主能级的空穴发射率,井与Yb的结果作了比较.