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半导体学报 1985
InP氯化物气相外延的热力学分析Abstract: 本文比较了具有旁路PCl_3注入的In-PCl_3-H_2(液态源)和InP-PCl_3-H_2(固态源)系统.计算中除引入流动效率和反应效率来计入源区反应的不完全性外,对液态源还引入磷的通过效率α来修正铟对气相中磷的吸收.计算表明这二个系统的主要差别是气相中Ⅲ/Ⅴ比值不同.计算结果支持主要淀积反应可能是 InCl+PH_3= InP + HCl+H_2的假设,并且预计固态源系统生长速度的重现性仅略优于液态源系统.
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