漏轻掺杂MOSFET的特性分析及其解析模型

制作了1μm沟道长度 LDD nMOSFET,其衬底电流较常规结构的 MOSFET降低了两个数量级,击穿电压提高了5伏.此外,还建立了包括热电子速度饱和和串联电阻在内的LDDMOSFET解析模型.