硅及硅化钽超精细结构的刻蚀

在SiF_4/Cl_2混合气体中对Si和 Tasi_2进行了反应离子刻蚀(RIE)的研究.得到中等的蚀速和高度的各向异性腐蚀.蚀速和腐蚀断面与气体成分有关,其它工艺参数影响不很大.用一步腐蚀作出了线宽4000A、间隔1000A 的TaSi_2/poly-Si多层材料的超精细结构.讨论了本系统的腐蚀机理.