B-C-N Films Synthesized by Plasma Source Ion Nitriding
等离子体源离子渗氮合成硼碳氮薄膜的研究

采用等离子体源离子渗氮，即低能，超大剂量氮离子注入－同步热扩散技术，在３００－５００℃处理碳化硼薄膜，合成了硼碳酸三元薄膜。俄歇电子能谱和漫反射富氏变换红外光谱分析表明，合成的硼碳氮薄膜是碳硼比固定，氮含量可控的非晶态薄膜。