Deposition and Properties of a C:H(N) Films
a-C:H(N)薄膜的制备及性能

采用射频－直流等离子化学气相沉积法用Ｃ２Ｈ２、Ｎ２和Ａｒ组成的混合气体制备ａ－Ｃ：Ｈ（Ｎ）薄膜，研究了薄膜的制备工艺、结构及直流导电特性。实验结果表明，ａ－Ｃ：：Ｈ（Ｎ）薄膜的沉积速率随混合气体中Ｃ２Ｈ２含量的增加而增大，当混合气体中Ｎ２含量增加到７５％时，薄膜的含氮量增大到９．０９％。薄膜中Ｃ、Ｎ原子以Ｃ≡Ｎ和Ｃ－Ｎ键的形式存在，结合进薄膜中的氮大大降低薄膜的直流电阻率。