Host sensitized infrared quantum cutting of Er0.1Gd0.9VO4 crystal
基质敏化的Er0.1Gd0.9VO4晶体的红外量子剪裁

研究了Er0.1Gd0.9VO4晶体材料的红外量子剪裁现象,发现了较为有趣的基质敏化的红外量子剪裁现象.即对于1537.5nm的4I13/2→4I15/2红外荧光的激发谱存在一个宽而强的337.0nm波长的激发谱峰,仔细分析可以认定337.0nm的激发峰对应着基质GdVO4材料的吸收.同时,发光谱的测量显示337.0nm光激发Er0.1Gd0.9VO4材料的基质吸收带时导致的1537.5nm4I13/2→4I15/2红外荧光的积分强度比其他所有荧光的积分强度的总和大了接近10倍,它的红外量子剪裁效率仅次于最强的2H11/2能级受激的红外量子剪裁效率且比其他能级都强.