Effect of hydrofluoric acid etching time on Ni/6H-SiC contacts
氢氟酸刻蚀对Ni/6H-SiC接触性质的作用

采用浓度为10%的氢氟酸（HF）刻蚀6H-SiC单晶片，研究了HF刻蚀时间对Ni/6H-SiC接触性质的影响．经24?h刻蚀的SiC基片在溅射Ni层后，其接触表现良好线性的电流-电压（I-V）曲线．低于这个腐蚀时间的接触具有明显的势垒，但在大于1000℃快速退火后，也得到了良好线性的I-V曲线．X射线衍射（XRD）和俄歇能谱（AES）深度元素分析表明Ni2Si和C是快速退火后的主要产物．XRD和低能反射电子能量损失谱表明表层的C