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物理学报 2008
Preparation and luminescence characteristics of Ca2SiO4:Dy3+ phosphor
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Abstract:
采用高温固相法制备了Ca2SiO4:Dy3+发光材料.在365nm紫外光激发下，测得Ca2SiO4:Dy3+材料的发射光谱为一多峰宽谱，主峰分别位于486nm，575nm和665nm处；监测575nm发射峰，测得材料的激发光谱为一多峰宽谱，主峰分别位于331nm，361nm，371nm，397nm，435nm，461nm和478nm处.研究了Dy3+掺杂浓度对Ca2SiO4:Dy3+材料发射光谱及发光强度的影响，结果显示，随Dy3+浓度的增大，黄、蓝发射峰强度比(Y/B)逐渐增大，利用Judd-Ofelt理论解释了其原因；随Dy3+浓度的增大，Ca2SiO4:Dy3+材料发光强度先增大，在Dy3+浓度为4 mol%时到达峰值，而后减小，根据Dexter理论其浓度猝灭机理为电偶极-电偶极相互作用.研究了电荷补偿剂Li+，Na+和K+对Ca2SiO4:Dy3+材料发射光谱的影响，结果显示，不同电荷补偿剂下，随电荷补偿剂掺杂浓度的增大，Ca2SiO4:Dy3+材料发射光谱强度的演化趋势相同，即Ca2SiO4:Dy3+材料发射峰强度先增大后减小，但不同电荷补偿剂下，材料发射峰强度最大处对应的补偿剂浓度不同，对应Li+，Na+和K+时，浓度分别为4mol%，4mol%和3mol%.
