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ISSN: 2333-9721
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3UCVD deposition SiO2 on SiC wafer and its C-V measurement
碳化硅基上3UCVD淀积二氧化硅及其C-V性能测试

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Abstract:

利用 3UCVD技术在p型 4H SiC上制备了栅氧化层 ,其正的氧化物电荷密度仅有 1 6× 1 0 1 1 cm- 2 ,这一结果优于传统的热氧化工艺 .为检验氧化层质量所做的高频C V测试采用了正面接地的新的测试结构 ,克服了常规测试结构的缺点

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3UCVD deposition SiO2 on SiC wafer and its C-V measurement碳化硅基上3UCVD淀积二氧化硅及其C-V性能测试