|
|
物理学报 2000
TEMPERATURE EFFECTS OF γ-IRRADIATED METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT-TRANSISTOR
|
Abstract:
研究了金属-氧化物-半导体(MOS)器件在γ射线辐照条件下的温度效应.采用加固的CC4007进 行辐照实验，在不同温度、不同偏压，以及不同退火条件下对MOS器件的辐照效应进行了比 较，发现温度对辐照效应的影响主要是决定界面态建立的快慢.高温下辐照的器件，界面态 建立的时间缩短.根据实验结果对器件阈值电压漂移的机理进行了探讨.
